기술정책동향

차세대 메모리 핵심 소재 개발 성공

작성일
2016-08-04 03:18
조회
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○ 차세대 자성 메모리(MRAM)*의 속도 및 집적도를 동시에 향상시키는 소재기술 개발에 성공


  * 실리콘을 기반으로 한 기존 반도체 메모리와 달리 얇은 자성 박막으로 만들어진 새로운 비휘발성 메모리 소자로서 외부 전원

    공급이 없는 상태에서 정보를 유지


 ※ 미래소재디스커버리사업의 스핀궤도소재연구단의 지원을 받아 연구를 수행


 - 현 연구팀은 동작 속도를 기존 자성메모리(MRAM) 기술보다 10배 이상 빠르고 고집적도를 달성 할 수 있는 새로운 기술을 개발


 - 컴퓨터 또는 스마트폰에 쓰이는 SRAM보다 10배 이하로 전력소모를 낮출 수 있고, 비휘발성 특성으로 저전력을 요구하는 모바일,

   웨어러블, 또는 사물인터넷(IoT)용 메모리로 활용 가능성이 큼